Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - IGBT - Simples IGW25N120H3

Infineon Technologies IGW25N120H3

Numéro d'article
IGW25N120H3
Fabricant
Infineon Technologies
La description
IGBT 1200V 50A 326W TO247-3
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - IGBT - Simples
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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En Stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence

    (En dollars américains)
  • 1 pcs

    2.55000/pcs
  • 10 pcs

    2.47900/pcs
  • 100 pcs

    2.03110/pcs
  • 500 pcs

    1.72906/pcs
  • 1,000 pcs

    1.45824/pcs
Total:2.55000/pcs Unit Price:
2.55000/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article IGW25N120H3
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 100A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 25A
Puissance - Max 326W
Échange d'énergie 2.65mJ
Type d'entrée Standard
Charge de porte 115nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 27ns/277ns
Condition de test 600V, 25A, 23 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3
Package de périphérique fournisseur PG-TO247-3
Produits connexes
IGW20N60H3FKSA1

Fabricant: Infineon Technologies

La description: IGBT 600V 40A 170W TO247-3

En stock: 118

RFQ 1.51500/pcs
IGW25N120H3

Fabricant: Infineon Technologies

La description: IGBT 1200V 50A 326W TO247-3

En stock: 6775

RFQ 2.55000/pcs
IGW25T120

Fabricant: Infineon Technologies

La description: IGBT 1200V 50A 190W TO247-3

En stock: 0

RFQ 1.84000/pcs