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| Numéro d'article | BSC900N20NS3 G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 200V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 15.2A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 7.6A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TDSON-8 |
| Paquet / cas | 8-PowerTDFN |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TDSON
En stock: 10000
