Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - RF BFG 235 E6327

Infineon Technologies BFG 235 E6327

Numéro d'article
BFG 235 E6327
Fabricant
Infineon Technologies
La description
TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Infineon Technologies

Infineon Technologies

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Paramètre du produit
Numéro d'article BFG 235 E6327
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 15V
Fréquence - Transition 5.5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1.7dB @ 900MHz
Gain 12.5dB
Puissance - Max 2W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 75 @ 200mA, 8V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 300mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-261-4, TO-261AA
Package de périphérique fournisseur PG-SOT223-4
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BFG 235 E6327

Fabricant: Infineon Technologies

La description: TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-223

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