Infineon Technologies BCR166E6433HTMA1

Numéro d'article: BCR166E6433HTMA1
Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples, prépolarisés

Infineon Technologies

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Paramètre du produit

Numéro d'article	BCR166E6433HTMA1
État de la pièce	Last Time Buy
Type de transistor	PNP - Pre-Biased
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	4.7k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Fréquence - Transition	160MHz
Puissance - Max	200mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur	PG-SOT23-3