Numéro d'article | BCR108SE6433HTMA1 |
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État de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
Résistance - Base (R1) (Ohms) | 2.2k |
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) | 47k |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | - |
Fréquence - Transition | 170MHz |
Puissance - Max | 250mW |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Package de périphérique fournisseur | PG-SOT363-6 |
Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SOT23-3
En stock: 45000
Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
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Fabricant: Infineon Technologies
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
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Fabricant: Infineon Technologies
La description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
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La description: TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
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