Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples FDP027N08B_F102

Fairchild/ON Semiconductor FDP027N08B_F102

Numéro d'article
FDP027N08B_F102
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 80V 120A TO-220-3
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Fairchild / ON Semiconductor

Fairchild / ON Semiconductor

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    1.65500/pcs
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    1.28130/pcs
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    1.03753/pcs
  • 1,000 pcs

    0.87503/pcs
Total:1.65500/pcs Unit Price:
1.65500/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article FDP027N08B_F102
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 178nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13530pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 246W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.7 mOhm @ 100A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220-3
Paquet / cas TO-220-3
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