Fairchild/ON Semiconductor FDC6312P

Numéro d'article: FDC6312P
Fabricant: Fairchild/ON Semiconductor
La description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A SSOT-6
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Matrices

Fairchild / ON Semiconductor

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Paramètre du produit

Numéro d'article	FDC6312P
État de la pièce	Active
FET Type	2 P-Channel (Dual)
FET Caractéristique	Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115 mOhm @ 2.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	467pF @ 10V
Puissance - Max	700mW
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package de périphérique fournisseur	SuperSOT™-6