Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés UMG4N-7

Diodes Incorporated UMG4N-7

Numéro d'article
UMG4N-7
Fabricant
Diodes Incorporated
La description
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article UMG4N-7
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) -
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) -
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Package de périphérique fournisseur SOT-353
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