Numéro d'article | DMP1012UCB9-7 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 8V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 10A (Ta) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 4.5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF @ 4V |
Vgs (Max) | -6V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 890mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 2A, 4.5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | U-WLB1515-9 |
Paquet / cas | 9-UFBGA, WLBGA |
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
En stock: 0
Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET BVDSS: 8V 24V POWERDI3333
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET P-CH 8V 10A
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET P-CH 12V 9.1A 6UDFN
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET P-CH 12V 9.5A U-DFN2020-6
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET P-CH 12V 5.5A DFN2015-3
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Fabricant: Diodes Incorporated
La description: MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
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