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| Numéro d'article | C3M0280090J-TR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 900V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.5nC @ 15V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 600V |
| Vgs (Max) | +18V, -8V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 7.5A, 15V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | D2PAK-7 |
| Paquet / cas | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
Fabricant: Cree/Wolfspeed
La description: MOSFET N-CH 900V 11.5A
En stock: 1688
Fabricant: Cree/Wolfspeed
La description: MOSFET N-CH 900V 11A
En stock: 912
Fabricant: Cree/Wolfspeed
La description: MOSFET N-CH 900V 11A
En stock: 800
