Numéro d'article | VN2110K1-G |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 200mA (Tj) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 360mW (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 500mA, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | SOT-23-3 |
Paquet / cas | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Fabricant: STMicroelectronics
La description: RELAY SSR HI-SIDE PENTAWATT
En stock: 0
Fabricant: Microchip Technology
La description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
En stock: 1179
Fabricant: Microchip Technology
La description: MOSFET N-CH 100V 0.2A SOT23-3
En stock: 3000