Toshiba Semiconductor and Storage RN1606(TE85L,F)

Osa numero: RN1606(TE85L,F)
Valmistaja: Toshiba Semiconductor and Storage
Kuvaus: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - bipolaari (BJT) - matriisit, pre-biased

Toshiba Semiconductor and Storage

toshiba semiconductor & storage offers a broad range of enabling technology solutions that allow oems, odms, cms and fabless chip companies to develop advanced integrated products for the computing, networking, communications, digital consumer, automotive and other markets.

Tuoteparametri

Osa numero	RN1606(TE85L,F)
Osan tila	Active
Transistorityyppi	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Nykyinen - Collector (Ic) (Max)	100mA
Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi)	50V
Vastus - pohja (R1) (ohmit)	4.7k
Vastus - emitteripohja (R2) (ohmit)	47k
DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Nykyinen - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
Taajuus - Siirtyminen	250MHz
Teho - Max	300mW
Asennustyyppi	Surface Mount
Pakkaus / kotelo	SC-74, SOT-457
Toimittajan laitepaketti	SM6