| Osa numero | CSD13306WT |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 12V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 3.5A (Ta) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.2nC @ 4.5V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonsyöttö (maksimi) | 1.9W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajan laitepaketti | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Pakkaus / kotelo | 6-UFBGA, DSBGA |
Valmistaja: Texas Instruments
Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
Varastossa: 72000
Valmistaja: Texas Instruments
Kuvaus: MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
Varastossa: 0
Valmistaja: Hoffman Enclosures, Inc.
Kuvaus: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
Varastossa: 2
Valmistaja: Tripp Lite
Kuvaus: 10-DEVICE DESKTOP USB CHARGING S
Varastossa: 0