| Osa numero | STB9NK70Z-1 |
|---|---|
| Osan tila | Obsolete |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 700V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 1370pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonsyöttö (maksimi) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 4A, 10V |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Toimittajan laitepaketti | I2PAK |
| Pakkaus / kotelo | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Valmistaja: STMicroelectronics
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK
Varastossa: 0
Valmistaja: STMicroelectronics
Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
Varastossa: 0