renesas electronics america designs and manufactures highly integrated semiconductor system solutions for automotive, mobile and pc/av markets.
| Osa numero | N0413N-ZK-E1-AY |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 40V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 5550pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonsyöttö (maksimi) | 1.5W (Ta), 119W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 50A, 10V |
| Käyttölämpötila | 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Surface Mount |
| Toimittajan laitepaketti | TO-263 (D²Pak) |
| Pakkaus / kotelo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Valmistaja: Renesas Electronics America
Kuvaus: MOSFET N-CH 40V 100A TO-263
Varastossa: 0
