Osa numero | JANTXV2N2920L |
---|---|
Osan tila | Active |
Transistorityyppi | 2 NPN (Dual) |
Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 30mA |
Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 60V |
Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 100µA, 1mA |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 1mA, 5V |
Teho - Max | 350mW |
Taajuus - Siirtyminen | - |
Käyttölämpötila | 200°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Pakkaus / kotelo | TO-78-6 Metal Can |
Toimittajan laitepaketti | TO-78-6 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Varastossa: 87
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Varastossa: 100
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 39
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 36
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 4