Osa numero | JANTX2N6250T1 |
---|---|
Osan tila | Active |
Transistorityyppi | NPN |
Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 10A |
Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 275V |
Vce-kylläisyys (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 1.25A, 10A |
Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
DC Virranotto (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 10A, 3V |
Teho - Max | 6W |
Taajuus - Siirtyminen | - |
Käyttölämpötila | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Asennustyyppi | Through Hole |
Pakkaus / kotelo | TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) |
Toimittajan laitepaketti | TO-254AA |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Varastossa: 87
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
Varastossa: 100
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 39
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 36
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
Varastossa: 4