provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APTGL475DA120D3G |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| IGBT-tyyppi | Trench Field Stop |
| kokoonpano | Single |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 1200V |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 610A |
| Teho - Max | 2080W |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 400A |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| Tulo kapasitanssi (Cies) @ Vce | 24.6nF @ 25V |
| panos | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Käyttölämpötila | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Chassis Mount |
| Pakkaus / kotelo | D-3 Module |
| Toimittajan laitepaketti | D3 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOD IGBT 1200V 65A SP3
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOD IGBT 1200V 65A SP1
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOD IGBT4 PHASE LEG D3
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT4 SGL SWITCH 1200V 610A D4
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 610A 2080W D3
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 610A 2080W D3
Varastossa: 0
