provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT75GT120JU2 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| IGBT-tyyppi | Trench Field Stop |
| kokoonpano | Single |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 1200V |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Teho - Max | 416W |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
| Nykyinen - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| Tulo kapasitanssi (Cies) @ Vce | 5.34nF @ 25V |
| panos | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Chassis Mount |
| Pakkaus / kotelo | ISOTOP |
| Toimittajan laitepaketti | SOT-227 |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOD DIODE 1700V SOT-227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOD DIODE 1200V SOT-227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247
Varastossa: 2948
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247
Varastossa: 20
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 200A 833W TMAX
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: IGBT 1200V 124A 379W SOT227
Varastossa: 0
