Osa numero | APT51M50J |
---|---|
Osan tila | Active |
FET-tyyppi | N-Channel |
tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 500V |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 51A |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 290nC @ 10V |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 11600pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-ominaisuus | - |
Tehonsyöttö (maksimi) | 480W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 37A, 10V |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Asennustyyppi | Chassis Mount |
Toimittajan laitepaketti | ISOTOP® |
Pakkaus / kotelo | SOT-227-4, miniBLOC |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227
Varastossa: 14
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Varastossa: 3
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX
Varastossa: 0