provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | APT40GP90BG |
|---|---|
| Osan tila | Not For New Designs |
| IGBT-tyyppi | PT |
| Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi) | 900V |
| Nykyinen - Collector (Ic) (Max) | 100A |
| Nykyinen - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
| Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 40A |
| Teho - Max | 543W |
| Energian vaihto | 825µJ (off) |
| Syötteen tyyppi | Standard |
| Gate Charge | 145nC |
| Td (päällä / pois) @ 25 ° C | 16ns/75ns |
| Testausolosuhteet | 600V, 40A, 5 Ohm, 15V |
| Käänteinen palautusaika (trr) | - |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Pakkaus / kotelo | TO-247-3 |
| Toimittajan laitepaketti | TO-247 [B] |
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227
Varastossa: 5
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: RECT BRIDGE 40A 600V SOT227
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247
Varastossa: 2905
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247
Varastossa: 0
Valmistaja: Microsemi Corporation
Kuvaus: DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247
Varastossa: 355
