provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Osa numero | 2N6768 |
|---|---|
| Osan tila | Active |
| FET-tyyppi | N-Channel |
| tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 400V |
| Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) |
| Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-ominaisuus | - |
| Tehonsyöttö (maksimi) | 4W (Ta), 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 14A, 10V |
| Käyttölämpötila | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Asennustyyppi | Through Hole |
| Toimittajan laitepaketti | TO-3 |
| Pakkaus / kotelo | TO-204AE |
