Osa numero | IRF100S201 |
---|---|
Osan tila | Active |
FET-tyyppi | N-Channel |
tekniikka | MOSFET (Metal Oxide) |
Tyhjennä lähdejännite (Vdss) | 100V |
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C | 192A (Tc) |
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 255nC @ 10V |
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds | 9500pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-ominaisuus | - |
Tehonsyöttö (maksimi) | 441W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 115A, 10V |
Käyttölämpötila | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Asennustyyppi | Surface Mount |
Toimittajan laitepaketti | D²PAK (TO-263AB) |
Pakkaus / kotelo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB
Varastossa: 1656
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB
Varastossa: 2695
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK
Varastossa: 800
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB
Varastossa: 1008
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK
Varastossa: 22400
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 75A TO-262
Varastossa: 0