Infineon Technologies IPD031N06L3 G

Osa numero: IPD031N06L3 G
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
0.52762/pcs
2,500 pcs
0.52762/pcs

Kaikki yhteensä:0.52762/pcs

Unit Price:

0.52762/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	IPD031N06L3 G
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
tekniikka	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 93µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	79nC @ 4.5V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	13000pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1 mOhm @ 100A, 10V
Käyttölämpötila	-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajan laitepaketti	PG-TO252-3
Pakkaus / kotelo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63