Infineon Technologies IPB60R099CPAATMA1

Osa numero: IPB60R099CPAATMA1
Valmistaja: Infineon Technologies
Kuvaus: MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - FETit, MOSFETit - Single

Infineon Technologies

hotenda.cn is an authorized distributor of infineon technologies, formerly siemens semiconductors, products including fets, bjts, voltage regulators and more.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
2.01715/pcs
1,000 pcs
2.01715/pcs

Kaikki yhteensä:2.01715/pcs

Unit Price:

2.01715/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	IPB60R099CPAATMA1
Osan tila	Active
FET-tyyppi	N-Channel
tekniikka	MOSFET (Metal Oxide)
Tyhjennä lähdejännite (Vdss)	600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25 ° C	31A (Tc)
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Tulo Kapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds	2800pF @ 100V
Vgs (Max)	±20V
FET-ominaisuus	-
Tehonsyöttö (maksimi)	255W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105 mOhm @ 18A, 10V
Käyttölämpötila	-40°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Toimittajan laitepaketti	PG-TO263-3-2
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB