Fairchild/ON Semiconductor HGT1S10N120BNS

Osa numero: HGT1S10N120BNS
Valmistaja: Fairchild/ON Semiconductor
Kuvaus: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Lyijytön tila / RoHS-tila: Lead free / RoHS Compliant
Perhe: Transistorit - IGBT - Single

Fairchild / ON Semiconductor

hotenda.cn is an authorized distributor of on semiconductor/fairchild products. on semiconductor/fairchild is a leading supplier of high performance, multi-market semiconductors.

Varastossa $ Määrä kpl

Viitehinta
(Yhdysvaltain dollareina)
1 pcs
1.63868/pcs
800 pcs
1.63868/pcs

Kaikki yhteensä:1.63868/pcs

Unit Price:

1.63868/pcs

Tavoitehinta:

Määrä:

Tuoteparametri

Osa numero	HGT1S10N120BNS
Osan tila	Not For New Designs
IGBT-tyyppi	NPT
Jännite - keräilijän lähettimen jakautuminen (maksimi)	1200V
Nykyinen - Collector (Ic) (Max)	35A
Nykyinen - Collector Pulsed (Icm)	80A
Vce (päällä) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Teho - Max	298W
Energian vaihto	320µJ (on), 800µJ (off)
Syötteen tyyppi	Standard
Gate Charge	100nC
Td (päällä / pois) @ 25 ° C	23ns/165ns
Testausolosuhteet	960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Käänteinen palautusaika (trr)	-
Käyttölämpötila	-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi	Surface Mount
Pakkaus / kotelo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti	TO-263AB