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| Numero de parte | SQJB60EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 25V |
| Potencia - Max | 48W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 Dual |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET ARRAY 2N-CH 60V SO8
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