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| Numero de parte | SIZ920DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 40A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1 mOhm @ 18.9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1260pF @ 15V |
| Potencia - Max | 39W, 100W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-PowerPair™ |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-PowerPair™ |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 40A PWRPAIR
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V POWERPAIR 6X5
En stock: 0
