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| Numero de parte | SIZ720DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 16A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7 mOhm @ 16.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 825pF @ 10V |
| Potencia - Max | 27W, 48W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 6-PowerPair™ |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-PowerPair™ |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIR
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 25V 16A 6-POWERPAIR
En stock: 0
