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| Numero de parte | SIS435DNT-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 8V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.7W (Ta), 39W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 13A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8 |
| Paquete / caja | PowerPAK® 1212-8 |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8
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