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| Numero de parte | SI5980DU-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 567 mOhm @ 400mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 78pF @ 50V |
| Potencia - Max | 7.8W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PowerPAK® ChipFet Dual |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
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