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| Numero de parte | SI5471DC-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2945pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 1206-8 ChipFET™ |
| Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
En stock: 24000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 12V 5.9A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 12V 5.5A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 60V 12A PPAK CHIPFET
En stock: 3000
