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| Numero de parte | SI5443DC-T1-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.6A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.3W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.6A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 1206-8 ChipFET™ |
| Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 30V 6A 1206-8
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Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
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Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
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Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.9A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 20V 25A PPAK CHIPFET
En stock: 9000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
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Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
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