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| Numero de parte | SI3457CDV-T1-GE3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.1A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2W (Ta), 3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 4.1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 6-TSOP |
| Paquete / caja | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 30V 3.7A 6-TSOP
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET P-CH 30V 5.1A 6-TSOP
En stock: 9000
