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| Numero de parte | RMPG06BHE3/54 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 1A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 150ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 100V |
| Capacitancia @ Vr, F | 6.6pF @ 4V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | MPG06, Axial |
| Paquete de dispositivo del proveedor | MPG06 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 150°C |
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GPP 1A 100V 150NS MPG06
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GPP 1A 100V 150NS MPG06
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 100V 1A MPG06
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GPP 1A 200V 150NS MPG06
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GPP 1A 200V 150NS MPG06
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
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Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción: DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06
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