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| Numero de parte | IRLL014PBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Discontinued at Digi-Key |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.7A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 1.6A, 5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-223 |
| Paquete / caja | TO-261-4, TO-261AA |
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
En stock: 0
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
En stock: 15000
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
En stock: 7500
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
En stock: 1122
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223
En stock: 80000
