| Numero de parte | IRFBC30ASPBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.6A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | D2PAK |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220AB
En stock: 1691
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 500V 14A TO-220AB
En stock: 965
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET N-CH 200V 16A TO-220AB
En stock: 0
Fabricante: Vishay Siliconix
Descripción: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
En stock: 1598