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| Numero de parte | TPCP8004(TE85L,F) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 8.3A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 840mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 4.2A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PS-8 (2.9x2.4) |
| Paquete / caja | 8-SMD, Flat Lead |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 30V 11A PS-8
En stock: 0
