Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X,S1X

Numero de parte: TK31E60X,S1X
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Toshiba Semiconductor and Storage

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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50 pcs
2.29430/pcs
100 pcs
2.09040/pcs
500 pcs
1.69270/pcs
1,000 pcs
1.42758/pcs

Total:2.85500/pcs

Unit Price:

2.85500/pcs

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	TK31E60X,S1X
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	30.8A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	Super Junction
Disipación de potencia (Máx)	230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 9.4A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220
Paquete / caja	TO-220-3