Toshiba Semiconductor and Storage TK290A60Y,S4X

Numero de parte: TK290A60Y,S4X
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Toshiba Semiconductor and Storage

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Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
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100 pcs
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1,000 pcs
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Unit Price:

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Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	TK290A60Y,S4X
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11.5A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 450µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	730pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290 mOhm @ 5.8A, 10V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / caja	TO-220-3 Full Pack