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| Numero de parte | SSM6J215FE(TE85L,F |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.4A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.4nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 59 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ES6 |
| Paquete / caja | SOT-563, SOT-666 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
En stock: 4000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
En stock: 4000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
En stock: 12000
