Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56MFV,L3F

Numero de parte: SSM3K56MFV,L3F
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parámetro del producto

Numero de parte	SSM3K56MFV,L3F
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	800mA (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	1nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	55pF @ 10V
Vgs (Max)	±8V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	VESM
Paquete / caja	SOT-723