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| Numero de parte | SSM3J108TU(TE85L) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158 mOhm @ 800mA, 4V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | UFM |
| Paquete / caja | 3-SMD, Flat Leads |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CHANNEL 30V 2A 3SMD
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 30V 1.4A UFM
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4A UFM
En stock: 21000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.6A UFM
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.4A UFM
En stock: 24000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 20V 5.5A
En stock: 12000
