Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados RN2102ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage RN2102ACT(TPL3)

Numero de parte
RN2102ACT(TPL3)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parámetro del producto
Numero de parte RN2102ACT(TPL3)
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 80mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 10k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición -
Potencia - Max 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SC-101, SOT-883
Paquete de dispositivo del proveedor CST3
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