Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados RN1906FE(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage RN1906FE(T5L,F,T)

Numero de parte
RN1906FE(T5L,F,T)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parámetro del producto
Numero de parte RN1906FE(T5L,F,T)
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 4.7k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 47k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición 250MHz
Potencia - Max 100mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor ES6
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