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| Numero de parte | RN1906FE(T5L,F,T) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
| Resistencia - Base (R1) (Ohmios) | 4.7k |
| Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) | 47k |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 100nA (ICBO) |
| Frecuencia - Transición | 250MHz |
| Potencia - Max | 100mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SOT-563, SOT-666 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | ES6 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
En stock: 3000
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
En stock: 4000
