Casa Índice de producto Productos semiconductores discretos Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados RN1444ATE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage RN1444ATE85LF

Numero de parte
RN1444ATE85LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Estado sin plomo / estado de RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Parámetro del producto
Numero de parte RN1444ATE85LF
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 300mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 20V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) -
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 4mA, 2V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Corriente - corte de colector (máximo) 100nA (ICBO)
Frecuencia - Transición 30MHz
Potencia - Max 200mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete de dispositivo del proveedor S-Mini
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