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| Numero de parte | 2SK2967(F) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 132nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 68 mOhm @ 15A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-3P(N) |
| Paquete / caja | TO-3P-3, SC-65-3 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH S-MINI FET
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH S-MINI FET
En stock: 0
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 50V S-MINI
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET N-CH 50V S-MINI
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: JFET N-CH SOT23
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: JFET N-CH SOT23
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Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: JFET N-CH SOT23
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