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| Numero de parte | 2SJ610(TE16L1,NQ) |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 250V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 381pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 20W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.55 Ohm @ 1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PW-MOLD |
| Paquete / caja | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricante: Toshiba Semiconductor and Storage
Descripción: MOSFET P-CH 250V 2A PW-MOLD
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