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| Numero de parte | CSD17579Q5AT |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 25A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15.1nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1030pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.1W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7 mOhm @ 8A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-VSON (5x6) |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
Fabricante: Tripp Lite
Descripción: 10-DEVICE DESKTOP USB CHARGING S
En stock: 0
Fabricante: Hoffman Enclosures, Inc.
Descripción: BOX S STEEL NAT 12.01"LX12.01"W
En stock: 2
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA
En stock: 72000
Fabricante: Texas Instruments
Descripción: MOSFET N-CH 12V 76A 6SON
En stock: 0
