STMicroelectronics STW35N60DM2

Numero de parte: STW35N60DM2
Fabricante: STMicroelectronics
Descripción: MOSFET N-CH 600V 28A
Estado sin plomo / estado de RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

STMicroelectronics

stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum

En Stock $ Cantidad de piezas

Precio de referencia
(En dólares estadounidenses)
1 pcs
2.82500/pcs
10 pcs
2.66500/pcs
100 pcs
2.18510/pcs
500 pcs
1.76939/pcs
1,000 pcs
1.49226/pcs

Total:2.82500/pcs

Unit Price:

2.82500/pcs

Precio objetivo:

Cantidad:

Parámetro del producto

Numero de parte	STW35N60DM2
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	28A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2400pF @ 100V
Vgs (Max)	±25V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	210W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	110 mOhm @ 14A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor	TO-247
Paquete / caja	TO-247-3